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参数目录38419
> PSMN010-55D,118 MOSFET N-CH 55V 75A SOT-428
型号:
PSMN010-55D,118
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 55V 75A SOT-428
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN010-55D,118 PDF
标准包装
2,500
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
55nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3300pF @ 20V
功率 - 最大
125W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
934055819118
PSMN010-55D /T3
PSMN010-55D /T3-ND
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